三星投入巨资巩固芯片技术优势

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三星集团最近宣布，将投资8.5万亿韩元(69.8亿美元)扩大现有的10纳米制程产能，并为明年的7纳米制程准备基础设施。其中，2.5万亿韩元将投资于位于西瓦松的17线工厂，预计今年第二季度初将增加10纳米的产能，即18，000个晶圆/月，目前的10纳米产能为25，000个晶圆/月。

去年10月，三星宣布批量生产新一代10纳米LPE工艺。采用这一流程的处理器包括高通公司的小龙835和三星自己的艾克斯8895。然而，10纳米制程的产能和产量仍存在问题，导致其旗舰机型枭龙835处理器市场出现延迟。这项投资被视为三星增加投资和扩大生产能力来解决这个问题。

目前，三星生产移动处理器的最先进技术是14纳米鳍片场效应晶体管，下一代是10纳米鳍片场效应晶体管。它还具有LPE低功耗和LPP高性能。然而，LPP进程要到今年下半年才会大规模生产。第一次大规模生产是10纳米LPE工艺。据三星称，新流程下的SoC性能可提高27%，功耗将降低40%。

鳍场效应晶体管被称为鳍场效应晶体管。是一种新型互补金属氧化物半导体晶体管。栅极长度可能已经小于25纳米。将来，它有望进一步减少到9纳米，约为人类头发宽度的1/10000。由于这种导体技术的突破，未来的芯片设计者有望设计出钉子大小的超级计算机。

第一个使用10纳米工艺的处理器是高通枭龙835，它也将是2017年主要手机制造商新旗舰产品的必要硬件配置。然而，由于10纳米工艺的产能和产量问题，小龙835和三星的艾克斯诺斯8895的生产时间比上一代芯片要晚。在2月份的MWC展会上，LG的G6手机只能使用枭龙821处理器，不能等待枭龙835。尽管索尼首先启动了枭龙835 Xperia XZP，但其发布时间尚未确定。

职责:胡彦明